制作工艺上是这样的:如图中所示,将细铝丝的一端接在阳极引线上,另一端压在掺杂过的n型半导体上。加上电压后,细铝丝在接触点出融化并渗入融化部分的中。这样,接触点实际上是p型半导体,并附着在n型半导体上形成pn结。
我是这样想的,金属拉丝的禁带宽度小;而N型锗片禁带宽度相对较宽,导带底部附近有大量自由电子;当两者接触时,N型锗片导带中的电子更容易跑到金属导带,这就相当于自由电子有了定向移动。
所以PN结应该是在两者的接触面。
半导体激光二极管,和LED类似,也是一个PN结,是利用外电源向PN结注入电子发光的,结构通常由P层,N层和形成双异质结的有源层构成。图中PN结标注,N型褚片与阴极引线相连处,。
以上供参考。
在金属小球和N型硅接触面的位置。图中所标PN结的位置。