半导体材料中，离子注入与离子掺杂有什么区别？

离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途？

2024-11-29 07:37:49

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回答1：

离子注入是离子参杂的一种。
随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发知正挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本陵猛岁都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。
离子注入具有如下的特点:
①可以在较低温度下（400℃）进行，避免高温处理；
②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深，更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；
③可选出一种元素进行注入，避免混入其他杂质；
④可以在较大面积上形成薄尺睁而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％，且横向掺杂比扩散小的多；
⑤控制离子束的扫描区域，可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。

回答2：

用一定的工艺手段（团扰仿如高压）将正离子或负离子打入材料表面叫离子注入式掺杂。优点李宏，温度低，对材料整体影响较小；缺点，设备贵塌纤。