普通三极管是电流控制电流器件,用基极电流控制集电极电流。
两者之比就是电流放大系数,是三极管的主要性能参数。
晶体管的放大作用并不是晶体管凭空产生出能量,使能量放大的。
实际上负载R得到的信号功率,完全是由集电极电源的直流功率转换而来的。
晶体管只是起到了一种控制作用,即以比较小的信号功率去控制发射结正向电流,并通过基区将这个随输入变化的电流传输到反偏的集电结回路,而集电极较高的电源电压使该电流具有更强的作功能力,从而把电源的直流功率转换成负载上的信号功率。
控制基极。http://www.xfu.edu.cn/dgdzjs/dgdzjs/dgdzwljx/mndzjs/dzjs1/d1z4-31.htm
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。