高频很容易辐射,如果增益过高,那么输出端的信号辐射到输入端或外界的高频干扰信号感应到输入端就会被放大很容易造成放大器产生自激振荡;如果是低频放大器就算输入端也会感应到高频信号,它是不会被放大的,因为它的通频带被限制在低频内,所以增益可以很高
共射放大状态的三极管发射结存在结电容,输入频率越高,流过结电容电流越多,而该电流是不能被三极管放大的
分两种情况:
1、分立电路(三极管或者场效应管)构成的高频放大电路。
二楼说了一部分,结电容的存在使三极管内部形成了一个低通滤波器,就严重影响了三极管共射电路频率特性的提高,比如Ft=250MHz的三极管,通常通频带仅有6-10MHz,
不过二楼有一点错误,高频放大电路一般不会用搭成共射电路的形式,而是用共基极放大电路,这样结电容的影响会小很多,同样上面参数的三极管,通频带可以达到共射电路的两倍以上。
半导体特性也决定了,功率和频率的提高是一对矛盾,功率越高,则三极管的PN结面积越大,结电容也越大;频率越高,则需要结电容越小,同时伴随着功率的减少(通过电流能力弱了),所以高频功率型三极管的技术工艺难度极大,全世界没有一个工厂能很好的解决这个问题。
2、以运放搭成的高频放大电路,
高频电路主要受运放GBW(增益带宽积)和SR(压摆率)的影响最大,还受到噪声的干扰。
GBW的限制使得电路的工作频率越高,增益越小;SR的限制使得高频状态下,输出信号幅度的提升越困难。所以我们一般进行高频放大的话,最有效的途径就是使用电流反馈型运算放大电路,这样可以避开GBW的影响,获得理想的高频增益,然后用电压反馈型高速运放进行缓冲、隔离并输出。
不过这些运放都比较贵。TI公司里有不少这样的产品。