场效应管源极跟随器的特点是什么？

特点：源极跟随器的输出阻抗非常低，特别适合于电动机、扬声器等重负载的驱动，同时MOSFET普遍功率比较大，具有很好的抗热击穿性能。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

扩展资料：

场效应管源极跟随器特点：

射极跟随器虽然没有电压放大能力，但由于电路深度负反馈的作用，具有工作稳定、频响宽、输入电阻大和输出电阻小等突出优点。射极限随器的输入电阻比一般共发射极电路的输入电阻大很多。根据理论分析，它的输入电阻rsr~pRe。

如果晶休管的β= 100，Re=1千欧，则输入电阻入,rsr=l00千欧。输入电阻大，消耗信号源的电流就小。在多级放大器中，射极限随器对信号源或前级只是很轻的负载。

同时，射极限随器的输出电阻是很小的，根据理论分析，rsr=rbe/p (式中的rbe.是晶休管的输入电阻)。一 般射极限随器的输出电阻在几十到几百欧之内，比共发射极电路小得多。

场效应管源极跟随器的特点如下：
与双极型晶体管（三极管）的射极跟随器相比，源极跟随器的输出阻抗非常低，特别适合于电动机、扬声器等重负载（阻抗低的负载）的驱动，同时MOSFET普遍功率比较大，具有很好的抗热击穿性能。
场效应晶体管（缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管（三极管）的射极跟随器相比，源极跟随器的输出阻抗非常低，特别适合于电动机、扬声器等重负载（阻抗低的负载）的驱动，同时MOSFET普遍功率比较大，具有很好的抗热击穿性能。