功率器件 门极和栅极有什么区别

在功率器件中，门极（Gate）和栅极（Gate）实际上指的是相同的部分，只是名称不同。不同的器件和制造商可能使用不同的术语，但通常情况下，门极/栅极是指用来控制器件的通断或导通状态的电极。
这个区别通常出现在不同种类的功率半导体器件中。例如，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）都具有栅极，而BJT（双极晶体管）通常会使用门极。
无论使用"栅极"还是"门极"，它们的功能都相同，都是通过控制栅极/门极电压来控制器件的导通和截止。不同的器件类型可能会有不同的工作原理和电性质，但栅极/门极的作用是类似的。

据我了解，门极是针对于电流驱动型器件来说的，它指的是电流驱动型器件的控制端。
栅极是针对于电压驱动型器件来说的，至少是针对于具有MOS（金属+氧化物+半导体）结构的器件来说的，它指的是电压驱动型器件的控制端。
门极和栅极二者的英文翻译均为gate，简称均为G。

二极管不可控；晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件；剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。电力二极管属于单极型器件，电力晶体管属于双极型器件，电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于复合型电力电子器件。在可控的器件中，绝缘栅双极型晶体管容量最大，电压驱动的是电力场效应管，属于电流驱动的是电力晶体管。