MOS管栅极串联电阻如何确定

MOS管栅极串联电阻的确定方法：

当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

MOS管的输入电阻很大，这个电阻不是为了提升输入电阻或者限流作用。在低频条件下，电阻小，可忽略。在高频时，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。

扩展资料：

MOS管的相关要求规定：

1、MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

2、PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压。

3、MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

参考资料来源：百度百科-MOS管

从理论上说，MOS管的输入电阻很大，所以这个电阻绝不是为了提升输入电阻或者限流作用。
在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。
但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.
这个Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一栏后面可以见到。
你可以直接使用这个数据。
PS:到现在为止还没搜索到这方面的定性计算公式。你可以参考一下，仙童公司出过一份关于MOSFET基础知识的资料，全英文的，里面有一些谈及。