个人猜想，可能有误——
就比如N型半导体，多子是自由电子，少子是空穴。自由电子来源有两部分，杂质原子本身多出的一个电子和共价键中被激发出来的电子。而空穴来源只有共价键。因为载流子浓度按指数规律增加，少子和多子的数量函数的底数不同，故而变化快慢也不同。
致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二；（2）少数载流子浓度与温度有关（随着温度的升高而指数式增加）.
是受多子的影响,容易混淆：（1）禁带宽度与温度有关（一般,随着温度的升高而变窄）
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