场效应管K3265可以用什么代换

场效应管K3265可以用IXFP10N80P和STP12NK80Z来替换。

因为IXFP10N80P和STP12NK80Z的控制输入端电流都极小，而输入电阻却极大（10⁷～10¹²Ω）；通过V_GS(栅源电压)来控制I_D（漏极电流）；场效应管的抗辐射能力强。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide  semiconductor  FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10⁷～10¹⁵Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

K3265：700V 10A 45W TO-220NIS
http://docs-asia.origin.electrocomponents.com/webdocs/0c29/0900766b80c29c79.pdf
可替换型号：
IXFP10N80P
STP12NK80Z

K3265：700V 10A 45W TO-220NIS

可替换型号：
IXFP10N80P
STP12NK80Z

　　一、结型场效应管的测量
1、判定场效应管的电极
先确定管子的栅极。将万用表置于R×100档，黑表笔接管子的一个电极，红表笔依次碰触另外两个电极。若两次测出的电阻值均很大，说明是P沟道管。且黑表笔接的就是栅极。若两次测出的阻值均很小，说明是N沟道管，且黑表笔接的就是栅极。若不出现上述情况，可调换另一电极，按上述方法进行测量，直到判断出栅极为止。
一般结型场效应管的源极和漏极在制造工艺上是对称的，因此可互换使用，所以可以不再定栅极和漏极，源极和漏极间的电阻值正常时约为几千欧姆。
2、估测场效应管的放大能力，
将表置于R×100档，黑笔接漏极D,红笔接源极S，这时指针指出的是漏极和源极间的电阻值。用手捏住栅极G，表针应有较大幅度的摆动，摆幅越大，则管子的放大能力越强。若表针摆动很小，则管自放大能力很弱。若表针不动，说明管子已失去放大能力。
二、MOS场效应管的测量
MOS场效应管，目前常用的多为双删型的结构，两个删极都能控制沟道电流的大小，靠近源极S的栅极G1是信号栅，靠近漏极D的栅极G2是控制栅，通常加AGC电压。
1、判定场效应管的电极
将表置于R×100档，用红、黑表笔依次轮换测量各管脚间的电阻值，只有D和两极间的电阻值为几十至几千欧姆，其余各管脚间的阻值为无穷大。当找到D和S极以后，再交换表笔测量这两个电极间的阻值，其被测阻值较大的一次测量中，黑表笔接的为D极。红表笔接的为S极。靠近S极的栅极为信号栅G1，靠近D极的栅极为控制栅G2。
2、估测场效应管的放大能力
将表置于R×100档，黑笔接漏极D，红笔接源极S，这时指针指出的漏极和源极间的电阻值。用手握住螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，表针应用较大幅度的摆动，摆幅越大，则放大能力越强，若表针摆动很小，则放大能力很弱。若表针不动，则已失去放大能力。对MOS场效应管不能用手去捏住栅极，以防止引起MOS管的栅极击穿。
三、VMOS场效应管的测量（以N沟到为例）
VMOS场效应管是一种功率管
1、判定场效应管的电极
将表置于R×1K档，分别测量三个电极间的阻值，若测得某一电极与其余两电极的阻值为
无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则此为栅极G，注意；此种测量方法仅对管内无保护二极管的VMOS管使用。
将表置于R×1K档，先将VMOS管三个电极短接一下，后用交换表笔的方法测两次阻值。阻值较大的一次测量中，黑笔所接的为漏极D，红笔接的为源极S 。
2、估测场效应管的放大能力
将表置于R×10K档红笔接源极，黑笔接漏极，用手捏住栅极，管子的阻值应有明显的变
化，变化越大，说明管子的跨导越高。