绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。其具有如下特点:
1、输入阻抗高,驱动功率小。
2、开关速度快。
3、驱动电路简单。
4、工作频率高。
5、导通压降较低、功耗较小。
6、能承受高电压大电流。
7、热稳定性好。
IGBT是一种很有发展前途的新型电力半导体器件。在中、小容量电力电子应用方面有取代其他全控型电力半导体器件的趋势。
绝缘栅双极晶体管又简称为IGBT,它的特点就是把MOS栅极控制的优点和双极型晶体管的大电流长处综合起来了。因此,它是电压控制器件,不需要输入电流,驱动方便;双极型晶体管工作使得它具有较小的导通电压,损耗低。
详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中有关IGBT的说明。
通电可发光