NPN型三极管为例
IE=IC+IB
IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）
IC=βIB
电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化
IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。
发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴浓度很低，所以发射极的电子都能扩散到集电结附近。集电结反偏电子不能向基区扩散，但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC。
电流IB是影响IC大小的。
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