在电子技术中：论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的？

理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱（栅极电位高于硅基底）反通（漏极高于源极），p反驱正通”

一般来说，场管的G相当于三极管的B，D相当于C，S相当于E，N沟道相当于NPN，P沟道相当于PNP，这样电流流向就可以参考三极管的了。但实际很多场管电流可以从D流到S，也可从S流到D，例如同步整流的降压式变换器，高端的NMOS就是D流向S，而低端的NMOS却是S流向D的。三极管则没有这种用法。

有可比性吗，N沟道MOS管是在漏源之间加正电压，在栅源之间也加正电压。PNP晶体管 的电流方向是发射极流向集电极。

虽然忘了一些，不过场效应管是电压元件吧，用同样的电路可能不行吧，输出的电流会变得吧