帮忙翻译一小段英文文献 不要用翻译软件哈

太平山的几何形状形成的激光器
上述地区低达阵氮化镓层二氧化硅
低于1] 106厘米〜2，窗口区域
有300] 107厘米高密度运输署〜2所示
图。 1。电压）电流（V）我）的特点和
劳工处每包面光输出功率与
1 450流明和4流明垄宽腔长
作为前进的直流电流（李）函数室温
进行了测定。当劳工处成立于
氮化镓上述地区与低SiO2遮罩层
达阵，阈值电流为53毫安，而对应
到阈值电流密度
3 kAcm〜2。当劳工处成立的窗口
具有高密度地区运输署，它有一个门槛
电流密度为6）9 kA的〜2厘米，远
高于对二氧化硅形成的劳工处的
面具。如此高的阈值电流密度为可能
造成由3]高107厘米〜2运输署密度
在窗口地区。这是CON组“rmed的
脱位担任漏电流通路
氮化铟镓，如图所示。 4。因此，有可能
一个漏电流由于大批
达阵导致的高临界电流密度
窗口区域。需要进一步研究
确定的高门槛的原因目前
密度造成的达阵。

氮化铟镓量子阱蓝光LED而增加的ELOG
和蓝宝石基板。该发射光谱
表明随着相同的蓝移
两者之间的LED电流。输出功率
发光二极管均高达6毫瓦在当前的高
20毫安。对蓝宝石的LED有相当大的
泄漏量与目前相比
在ELOG。这些结果表明，在组成
＃uctuation是不是由达阵，自由载流子
被捕获的辐射复合中心
他们之前被捕获的非辐射复合
在氮化铟镓中心，而且位错
形成氮化铟镓的漏电流通路中。在-
氮化镓量子阱激光器使用MD -熔覆层补充劳工计划
在ELOG基板上制作了演示
有超过8000 Ĥ一生下
条件的RT连续运作。位错
增加了阈值电流密度的激光器
通过漏电流。

好难的，我参考了翻译器，呵呵