本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。
掺杂的杂质粒子电离后产生多子，少子是本征激发产生。少子浓度与多子浓度之积为一恒定值
