230问答网 > 请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列，最佳答案悬赏20分。

请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列，最佳答案悬赏20分。

我需要科普性质的，需要原理性的说明。

2025-01-07 17:42:48

推荐回答（4个）

回答1：

led磊晶制程：

pss基板---MOCVD---磊晶半成品---量测

中端制程：

1、有机清洗

使用机台：wet bench；氮气枪

1. ACE：用有机溶剂去除有机物污染

2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况(通常污染源都是从IPA 来的)。

3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。

4. 吹乾：利用氮气枪吹乾晶片。

5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。

2、去光阻

1. ACE：用有机溶剂去除光阻

2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况。

3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。

4. 吹乾：利用氮气枪吹乾晶片。

5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。

各区简介

3、MESA 段

1. 沉积 ITO

使用机台：ITO 蒸镀机

沉积物：ITO(氧化铟锡)

规格： 3750A(倍强)，2600A(富临)

量测须穿透率达97% 以上，

阻值 10Ω以下

检查重点：是否乾净、是否有水痕或不明残留、小黑点

4、Mesa 黄光

使用机台：Spin coater，oven，aligner

沉积物：正光阻

程序：上光阻 软烤 曝光 显影检查硬烤

检查重点：切割道是否乾净、图形是否完整、光罩(产品)型号是否正确

5、MESA 蚀刻

使用机台：wet bench

使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)---蚀刻ITO

条件：55℃/ 50sec

程序：确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查

检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整

6、乾蚀刻

使用机台：ICP

蚀刻深度：12000~18000A(含ITO)

7、去 PR mask

使用机台：wet bench

使用溶液：SF-M15 (LT-420)---去除光阻

硫酸+双氧水---清除有机物

程序：确认温度及秒数 浸泡 放冷(5min)

ACE+超音波震汤IPA 水洗IPA

 热氮吹乾硫酸+双氧水(常温/1min)

水洗 检查

量测：α-step (稜线量测仪)

检查重点：ITO 表面是否有PR 残留、切割道是

否乾净、图形是否完整

8、TCL 蚀刻

使用机台：wet bench

使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)

---蚀刻ITO

条件：55℃/ 40sec

程序：确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查去光阻归盤时须区分该过的炉管

检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整、是否光阻残留

9、打线测试

使用机台：打线机、拉力计

程序：打线 拉力  记录拉力克数  推金球

及拉掉金线吹掉金球及金线 检查

检查重点： pad peeling、拉力克数是否足够(须大於

8g)、是否有打不黏的情况

重要：打线完线头及金线必须完全剔除，用氮气枪吹乾净。否则会造成晶片研磨後厚度不均而整片报废

10、合金

使用机台：炉管

蚀刻深度：330 ℃/10min

后段制程：

制程顺序：

研磨制程：上蜡→研磨→抛光→下蜡→清洗

切/劈制程：贴片→雷射切割→劈裂→翻转→扩张

点测制程：全点/抽点(确认chip光/电特性资料)

分类制程：依照光/电特性

目检制程：挑除外观不良之Chip

回答2：

我只知道封装的工艺流程：固晶焊线点粉封胶测试电镀（之前的是半成品物）分光（之后是成品）

回答3：

知道这又有什么用，你是想造LED吗，如果你是专业人士呢，但你问这个问题说明你又不是，你不是专业人士呢，那么你知道是PN结遇电发光，透明材料封装，引出正负两个引脚，这就足够了。
先进的最新的知识产权是掌握在一些专业的大公司的。

回答4：

估计没人能回答的上你的问题。全国做芯片也就10几家，在说他们也不希望这些东西外泄。