MOS管的体二极管能通过多大电流

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。

这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属，绝缘体(insulator)-半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。

而P沟道常见的为低压mos管。

P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。

因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。

工作原理

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管。
实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料

那要看具体的元件参数了。

之际祭腾w