对于增强型N沟道的MOSFET，我们希望的是形成沟道后，在两个重掺杂的n区中形成以电子为主的电子流，但是其中的寄生的pn结是不可避免的，例如n区与衬底p之间形成了pn结，必须使其零偏或者反偏，即使Vbs>=0。但是值得注意的是，在实际IC电路中，对于直接与VDD相连的PMOS其Vsb=0，与GND相连的NMOS其Vbs=0，但是那些不与VDD和GND相连的MOSFET其中存在的体效应现象，对NMOS而言，当Vbs>0会使其阈值电压增大，对于PMOS也同理，这会影响到器件的中点电压Vm。
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