当栅极和源极加上超过门限电压的电压的时候，漏源极才能处于导通状态。不同的MOSFET,门槛电压不一样，一般设计栅源极电压在15V左右，特别在作为开关管运用的时候。
例如，对于耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断），这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，也就是耗尽型FET的阈值电压，当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道即在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和导通状态，输出电流最大、并饱和，同时跨导也最高——放大工作区。
值得注意，FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后，并不是不能导电，因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区，只要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘，就立即被电场扫到集电极而输出电流。所以，沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导电性决定于未被夹断的部分沟道），这与完全没有沟道的截止状态完全不同。
对于JFET，其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同。
击穿了吧
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