不带负电。
因为半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
N型半导体形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,如ZnO、Ta2O5等,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度,这表现为更强的电子导电性。
参考资料来源:百度百科-N型半导体
不管怎样掺杂,静态的的时候内部电荷都是平衡的;而n型半导体由于掺杂,所以内部是由固定的正电荷(不能动,来自掺杂元素)、自由电子和空穴组成。这里 空穴+正电荷=自由电子,因次N型半导体中自由电子多于空穴。不过是电荷平衡的。
即使是np接触后形成了pn结,只要不外加电压的话,N/P半导体之间都是平衡的,也不带电。
N型半导体中的自由电子主要是来自于施主杂质原子,少量来自于价带的价电子(本征激发)。
当施主杂质原子提供出电子以后,本身就变成了带正电荷的中心,其数量与电子的相等;如果是价电子产生的自由电子,那么在产生一个自由电子的同时,也必将产生出一个带正电荷的空穴,所以正、负电荷也是相等的。
总之,不管半导体中有多少电子或者多少空穴,在半导体内部始终都将保持是电中性的。
顺便说一句,在半导体和在金属中,它们的内部都总是保持为电中性的,只有它们的表面才可以出现多余的电荷!这是一个基本原则——电中性条件。