① 量子效率，
η=(1-R反)(1-)
R反为光敏面反射系数，为空穴的扩散长度。为了减小R反，通常在受光面镀抗反膜。②响应速度，在全耗尽情况，响应速度由耗尽区渡越时间τd及（Rs+RL）C时间常数决定。τd=W/V，Vs，为饱和漂移速度，Rs为二极管串联电阻，RL为负载电阻，C为器件电容。③噪声来源，噪声包括散弹噪声和热噪声。前者来源于光电流、背景光电流及暗电流等的随机量子起伏。热噪声由负载电阻及跟随放大器的输入阻抗等温度起伏所引起。④暗电流Id，耗尽区的峰值电场超过临界值Em(InGaAS Em≈1.5×10V/cm)时，隧道电流将成为暗电流的主要成分。使用时必须保Em
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